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BUX86P中文资料

BUX86P图片

BUX86P外观图

  • 大小:50.85KB
  • 厂家:PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述:Silicon Diffused Power Transistor
  • 安装类型:通孔
  • 宽度:2.8mm
  • 封装类型:SIP
  • 尺寸:11.1 x 7.8 x 2.8mm
  • 引脚数目:3
  • 晶体管类型:NPN
  • 最低工作温度:-40 °C
  • 最大功率耗散:42000 mW
  • 最大发射极-基极电压:5 V
  • 最大基极-发射极饱和电压:1 V
  • 最大直流集电极电流:0.5 A
  • 最大集电极-发射极电压:400 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压:1 V
  • 最小直流电流增益:26 V
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:双极功率
  • 配置:单
  • 长度:7.8mm
  • 高度:11.1mm

BUX86P供应商

更新时间:2023-01-27 15:09:41
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